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专注于光电半导体器件测试和封装设备的

研发与制造

  
光电探测器器件级测试仪 OTES-Chip
    发布时间: 2023-06-19 13:22    
光电探测器器件级测试仪 OTES-Chip

产品概述：

光电探测器器件级测试仪(OTES-Chip)是为满足高精度光电探测器件性能参数测试而设计的，它具有功率检测和探测器像敏面监控等功能，可在器件级分析中测量各种光接收元件（如光电二极管和光接收传感器）的电气和光学特性。


产品特点：

1) 可测光接收元件的各电气/光学特性；

2) 软件测量自动化、高速化、精确化；

3) 适配我方各类光学/电子学测量系统；

4) 整体系统从测量到使用我方均予支持。


产品应用：

可进行光谱响应度测试、I-V特性、衰减倍数测试、灵敏度阈值测试、动态范围测试、功耗电流测试，广泛应用于光电二极管检测、科学研究与产品测试等领域。


技术参数：

表1-3  光电探测器器件级测试仪（OTES-Chip）技术参数

模块

技术参数

光源部分


最小值

典型值

最大值

备注

中心波长

-

1064.24nm

-

-

峰值光功率

-

1W

-

50ns/10KHz

FWHM

-

1.24nm

-

-

脉冲宽度

-

50ns

-

-

脉冲重复频率

0.1KHz

-

1000KHz

内触发

输出光隔离度

-

34dB

-

-

回波损耗

-

55dB

-

-

光功率稳定性

-

-

1%

25℃

全温光功率稳定性

-

-

3%

-15℃~+55℃

衰减部分

调节范围

0~80dB

-

调节精度

0.1dB

-

光功率探测部分

波长范围

350~1100nW

-

功率范围

100pW~5mW

-

分辨率

10pW

-

出光部分

聚焦光斑直径

0.1~0.5mm

-


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